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抢攻中国手机芯片市场电联28nm授权大陆

本文摘要:晶圆代工厂联电准许许可28纳米技术予中国子公司联芯集成电路生产(厦门),联芯28纳米预计第二季引入量产,将跃上中国手机芯片市场。联芯昌于去年底投产,目前以40纳米制程技术居多,月生产能力大约1.1万片规模。联电今天公告,准许技术许可28纳米技术予中国子公司联芯,技术许可金额2亿美元。 联电回应,联芯将尽早引入28纳米制程,预计第二季可转入量产,将跃上中国手机芯片市场;联芯预计至今年底月生产能力将阔减至1.6万片规模。

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晶圆代工厂联电准许许可28纳米技术予中国子公司联芯集成电路生产(厦门),联芯28纳米预计第二季引入量产,将跃上中国手机芯片市场。联芯昌于去年底投产,目前以40纳米制程技术居多,月生产能力大约1.1万片规模。联电今天公告,准许技术许可28纳米技术予中国子公司联芯,技术许可金额2亿美元。

联电回应,联芯将尽早引入28纳米制程,预计第二季可转入量产,将跃上中国手机芯片市场;联芯预计至今年底月生产能力将阔减至1.6万片规模。至于2亿美元技术许可金,联电认为,将依工程进度认列,只因与联芯为母子公司关系,对损益无影响,仅有现金收益。

N-1规则,14nm量产后的前进根据台湾规定,投资大陆的技术要比台湾的领先一代,也就是所谓的“N-1”规则,联电这次转入大陆,是因为其14nm月投入量产。23日也宣告,自律研发的14nm鳍式场效晶体管(FinFET)制程技术,已顺利转入客户芯片量产阶段,良率已约先进设备制程的业界竞争水平,此制程将协助客户拓展崭新的应用于电子产品。联电CEO颜博文回应,这次达成协议14nm量产的里程碑,象征物联电顺利联手客户,将先进设备技术引入市场,同时与其他客户的合作也在顺利进行中,将持续优化此制程,充分发挥14纳米FinFET在效能、功耗和闸密度所不具备的优势,以驱动次世代硅芯片于网络、人工智能和各类消费产品等各领域的应用于。

联电14纳米FinFET制程效能竞争力已约业界领先标准,速度较28nm增快55%,闸密度则约两倍,此外,功耗亦较28纳米增加大约50%。


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